產(chǎn)品名稱(chēng)：二硅化鈦（TiSi2）
規格：0.8-10um（D50）
形貌：不規則
顏色：黑灰色
特點(diǎn)：熔點(diǎn)高,化學(xué)性質(zhì)穩定、低電阻率、良好的導電性能、高溫穩定性和抗氧化性能
用途：微電子領(lǐng)域、航天航空業(yè)，船舶潛艇制造，醫用，首飾制造等領(lǐng)域
中文名稱(chēng):二硅化鈦
英文名稱(chēng):Titanium disilicate
CAS：12039-83-7
分子式：Si2Ti
分子量：104.03800
密度：4,39 g/cm3
熔點(diǎn) : 1540°C
沸點(diǎn) : 1540°C
分子量: 104.04
外觀(guān)：灰黑色
穩定性：常溫常壓下穩定 避免的物料 氧化物 酸 堿
生產(chǎn)方法：1.將金屬鈦和金屬硅放入電弧爐內，在氬氣氣氛下于1100℃熔融制得二硅化鈦。 2. 采用合成法。將金屬鈦和金屬硅放入電弧爐內，在氬氣氣氛下于1100℃熔融，即制得二硅化鈦。
性質(zhì)：
硅化鈦（TiSi2）具有非常理想的特性：高的導電性，高的選擇性，好的熱穩定性，對Si好的吸附性，好的工藝適應性和對硅連接參數的低干擾。因此，在集成電路器件中，硅化鈦被廣泛應用于金屬氧化物半導體（MOS），金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）和動(dòng)態(tài)隨機存儲器（DRAM）的門(mén)、源/漏極、互聯(lián)和歐姆接觸的制造當中。金屬硅化物可由物理氣相沉積（濺射和熱蒸發(fā)等）和化學(xué)氣相沉積（CVD）制備。制備硅化鈦的目的是為了得到低電阻的TiSi2。TiSi2具有2種多晶相：亞穩態(tài)的C49相和熱力學(xué)穩定的C54相。C49相為正交底心晶系；每個(gè)晶胞由12個(gè)原子構成；晶胞尺寸為：a=0.362nm，b=1.376nm，c=0.360nm；電阻率ρ=60~100μ?·cm。C54相為正交面心晶系，每個(gè)晶胞由24個(gè)原子構成；晶胞尺寸為：a=0.826nm，b=0.480nm，c=0.853nm；電阻率ρ=12~20μ?·cm[24]。由于C54相的TiSi2具有與金屬本體相當的電阻率，因此，得到C54相的TiSi2是制備硅化鈦的目的。
用途：
硅化鈦被廣泛應用于金屬氧化物半導體（MOS），金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）和動(dòng)態(tài)隨機存儲器（DRAM）的門(mén)、源/漏極、互聯(lián)和歐姆接觸的制造當中，其應用舉例如下：
1）制備一種硅化鈦阻擋層，采用所述硅化鈦阻擋層的制作方法的器件包括由隔離區隔開(kāi)的non-silicide區域和silicide區域，器件上表面覆蓋有一層犧牲氧化層，本發(fā)明包括：采用光刻工藝，使得光刻膠覆蓋在non-silicide區域上，而露出silicide區域；采用濕法刻蝕工藝刻蝕掉silicide區域的犧牲氧化層；對silicide區域露出的硅進(jìn)行非晶化處理，As注入；去除剩余在non-silicide區域的光刻膠；濺射金屬鈦，進(jìn)行第一次合金化處理；濕法刻蝕去除未形成合金的金屬鈦，進(jìn)行第二次合金化處理。本發(fā)明刪除了現有技術(shù)中silicideblock氧化層，減少了工藝成本；同時(shí)減少了刻蝕對隔離氧化膜的損失，提高了工藝穩定性。
2）制備一種原位合成硅化鈦(Ti5Si3)顆粒增強鋁碳化鈦(Ti3AlC2)基復合材料。通過(guò)加入一定量的硅，制備出不同體積比的Ti3AlC2/Ti5Si3復合材料，其中硅化鈦顆粒增強相的體積百分數為10~40%。具體制備方法是：首先，以鈦粉、鋁粉、硅粉和石墨粉為原料，Ti∶Al∶Si∶C的摩爾比為3∶(1.1-x)∶x∶(1.8~2.0)，其中x為0.1~0.5。原料粉經(jīng)物理機械方法混合8~24小時(shí)，裝入石墨模具中，施加的壓強為10~20MPa，在通有保護氣氛的熱壓爐內燒結，升溫速率為10~50℃/分鐘，燒結溫度為1400~1600℃，燒結時(shí)間為0.5~2小時(shí)，燒結壓強為20~40MPa。本發(fā)明可以在較低的溫度和較短的時(shí)間內制備出具有高純度、高強度的鋁碳化鈦/硅化鈦復合材料。
3）制備復合功能硅化鈦鍍膜玻璃。在普通浮法玻璃基板上沉積一層薄膜或在它們之間再沉積一層硅薄膜。通過(guò)制備得到硅化鈦和硅的復合薄膜或在薄膜中摻入少量具有活性的碳或氮得到硅化鈦復合碳化硅或碳化鈦或者硅化鈦復合氮化硅或氮化鈦的復合薄膜，可使該鍍膜玻璃的機械強度和耐化學(xué)腐蝕能力得到提高。本發(fā)明是一種結合調光隔熱和低輻射玻璃功能于一身的一種新型的鍍膜玻璃。
4）制備一種半導體元件，包括一硅襯底，硅襯底上形成有柵極、源極和漏極，柵極和硅襯底之間形成有一層絕緣層，柵極由位于絕緣層上的多晶硅層和位于多晶硅層上的硅化鈦層組成，硅化鈦層上形成有保護層，保護層、硅化鈦層、多晶硅層和絕緣層的周?chē)h(huán)繞有三層結構層，由里到外依次為氮化硅間隙壁層、親層和氧化硅間隙壁層，源極和漏極上形成有硅化鈦層，硅襯底上形成有內層介電層，內層介電層中形成有接觸窗開(kāi)口。本實(shí)用新型通過(guò)采用上述技術(shù)方案，可使得柵極和接觸窗口內的導線(xiàn)可以完全絕緣，不會(huì )發(fā)生短路現象。
存儲方法：
本品應密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中，不宜長(cháng)久暴露于空氣中，防受潮發(fā)生團聚，影響分散性能和使用效果，另應避免重壓，勿與氧化劑接觸，按照普通貨物運輸。
