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產品展示 當前位置:首頁產品展示—氮化鉭 Tantalum nitride(TaN)
氮化鉭 Tantalum nitride(TaN)
產品名稱:氮化鉭(TaN) 規(guī)格:0.8-10um(D50)   形貌:不規(guī)則 顏色:黑灰色  特點:高硬度、‌耐磨、‌化學惰性、‌熱穩(wěn)定性以及低的電阻溫度系數(shù) 用途:耐磨涂層、‌薄膜電阻以及集成電路中的擴散勢壘
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產品詳情
氮化鉭 Tantalum nitride(TaN)

TaN?

產品名稱:氮化鉭(TaN)

規(guī)格:0.8-10um(D50)  

形貌:不規(guī)則

顏色:黑灰色 

特點:高硬度、‌耐磨、‌化學惰性、‌熱穩(wěn)定性以及低的電阻溫度系數(shù)

用途:耐磨涂層、‌薄膜電阻以及集成電路中的擴散勢壘

氮化鉭價格

氮化鉭生產廠家

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氮化鉭工藝

氮化鉭

中文名:氮化鉭

英文名:tantalum nitride

CAS號:12033-62-4

密度:13.4 g/cm3

晶型:黑色六方結晶

熔點:3090°C

化學式:TaN

電阻率:128μΩ· cm

熱導率:9.54W/(m·K)

分子量:194.95500

質量:194.95100

顯微硬度:1100kg/m2

熱導率:9.54W/(m· K)

晶格常數(shù):a=0.4336nm,c=0.4150nm

水溶性:不溶于水、酸,微溶于王水,溶于氫氧化鉀并分解釋放出氨,加熱至2000℃即釋放出氮氣。

制備方法

1.將金屬鉭粉用氮氣或氨氣在1100℃左右直接氮化制得。

2.以金屬鉭和氮氣為原料制備氮化鉭,反應式如下:2Ta+N2=2TaN

將金屬鉭粉用氮氣或氨氣在1100℃左右直接氮化制得。

作用/用途

1、用來制造片狀電阻的材料,氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。在制造集成電路的過程中,這些膜沉積在硅晶片的頂部,以形成薄膜表面貼裝電阻。用來制造片狀電阻的材料,氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。氮化鉭材料被用于制作芯片導線的保護層。

2、用作超硬質材料添加劑,可制備純的五氯化鉭:用于噴涂,增加變壓器、集成線路、二極管的電穩(wěn)定性。

存儲方法:本品應密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜長久暴露于空氣中,防受潮發(fā)生團聚,影響分散性能和使用效果,另應避免重壓,勿與氧化劑接觸,按照普通貨物運輸。

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